0
0
Home
>
Componenten | Elektronica
>
Componenten
>
Actieve | Componenten
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
IRFZ... | FET's
IRFZ... | FET's
IRFZ20 MOSFET N-ch 50V 15A TO-220
Vishay
***V2 | IRFZ20 | 27092016
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 50 V
Vgs doorslagspanning :10 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 15 A
Ig Gate stroom: -- nA
Pd vermogenverlies: 40W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 90 ns
Closing resistance Rds(on): -- mOhm
Montagetype
:
Through Hole
IRFZ34 MOSFET N-ch 55V 26A TO-220
Infineon
IRFZ34 27092016
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 55 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 26 A
Ig Gate stroom: -- nA
Pd vermogenverlies: 56W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 49 ns
Closing resistance Rds(on): 28 mOhm
Montagetype
:
Through Hole
IRFZ44 3 stuks MOSFET N-ch 60V 50A TO-220
Vishay
IRFZ44 | 27092016
kg
Levertijd:
geen voorraad artikel levertijd 2-4 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Aantal:
3 stuks
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 60 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 50 A
Ig Gate stroom: 100 nA
Pd vermogenverlies: 150W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 110 ns
Closing resistance Rds(on): 28 mOhm
Montagetype
:
Through Hole
IRFZ48 MOSFET N-ch 60V 50A TO-220
Vishay
***V1 | IRFZ48 | 27092016
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: Power MOSFET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-220-3
Vds doorslagspanning : 60 V
Vgs doorslagspanning :20 V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 50 A
Ig Gate stroom: 100 nA
Pd vermogenverlies: 190W
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: 250 ns
Closing resistance Rds(on): 18 mOhm
Montagetype
:
Through Hole
!
update: 25 oktober 2024
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2024
Mobiele weergave
Webwinkel gemaakt met ShopFactory webwinkel software.
0
Nederlands (Dutch)