0
0
Home
>
Componenten | Elektronica
>
Componenten
>
Actieve | Componenten
>
Transistoren FET Triac Thyristor Diac IGBT
>
FET's
>
BF... | FET's
BF... | FET's
BF... | FET's
BF246C FET N-ch 25V 250mA 400mW TO92
Philips
BF246C | 12072017
kg
Levertijd:
geen voorraad artikel info levertijd > info@brigatti.nl
Bestel
Type: N-Channel FET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-92
Vds doorslagspanning : 25 V
Vgs doorslagspanning : 12 V
Vdg doorslagspanning: 25 V
ID continue afvoerstroom: 250 mA
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 400mW
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on):
Montagetype
:
Through Hole
BF256C FET N-ch 30V 100mA 350mW TO92
Fairchild Semiconductor
BF256C | ***V2 | 12072017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: N-Channel FET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-92
Vds doorslagspanning : 30 V
Vgs doorslagspanning : -30 V
Vdg doorslagspanning: 30 V
ID continue afvoerstroom: 100 mA
IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max : 11 - 18 mA
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 350mW
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on):
Montagetype
:
Through Hole
BF410 FET N-ch 20V 30mA 300mW TO92
Philips
BF410 | ***V11 | 13072017
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: N-Channel FET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: TO-92
Vds doorslagspanning : 20 V
Vgs doorslagspanning : V
Vdg doorslagspanning: 20 V
ID continue afvoerstroom: 30 mA
IDss Zero Gate Voltage Drain Current min - max :
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 300mW
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150
°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on):
Montagetype
:
Through Hole
BF961 FET N-ch 20V 30mA 200mW SOT-103
Unbranded
BF961 | ***V2 | 20032018
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: N-Channel FET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: SOT-103 TO-50-4
Vds doorslagspanning : 20 V
Vgs doorslagspanning : -- V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 30 mA
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 200 mW
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on):
Montagetype
:
Through Hole
BF966 FET N-ch 20V 30mA 225mW SOT-103
Vishay
BF966 | ***V4 | 20032018
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: N-Channel FET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: SOT-103 TO-50-4
Vds doorslagspanning : 20 V
Vgs doorslagspanning : -- V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 30 mA
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 225 mW
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on):
Montagetype
:
Through Hole
BF980 FET N-ch 18V 30mA 225mW SOT-103
Unbranded
BF980 ***V1 20032018
kg
Levertijd:
voorraad artikel 1-2 werkdagen
Bestel
Type: N-Channel FET
Polariteit transistor: N-Channel
Behuizing: SOT-103 TO-50-4
Vds doorslagspanning : 18 V
Vgs doorslagspanning : -- V
Vdg doorslagspanning: -- V
ID continue afvoerstroom: 30 mA
Ig Gate stroom:
Pd vermogenverlies: 225 mW
Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
Versterking Bandbreedte Product fT
: -
Recovery time Trr: ns
Closing resistance Rds(on):
Montagetype
:
Through Hole
!
update: 25 oktober 2024
Brigatti Electronics Copyright © 1994-2024
Mobiele weergave
Webwinkel gemaakt met ShopFactory webwinkel software.
0
Nederlands (Dutch)