2SK...

!
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK30 20032017
Gewicht: kg

2SK30 JFET N-ch 50V 10mA TO-92

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 50 V 
  • Vgs doorslagspanning : 5 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 10 mA
  • Ig Gate stroom:  6.5 mA 
  • Pd vermogenverlies: 100mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK117 20032017
Gewicht: kg

2SK117 JFET N-ch 50V 10mA TO-92

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 50 V 
  • Vgs doorslagspanning : V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom:10  mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 300mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK135 /ond.K1 ***V2 21032017
Gewicht: kg

2SK135 FET N-ch 160V 7A TO-3

uitlopend nog 2 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3
  • Vds doorslagspanning : 160 V 
  • Vgs doorslagspanning :  V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 7 A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +155°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK161 20032017
Gewicht: kg

2SK161 JFET N-ch 50V 10mA TO-92s

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92s
  • Vds doorslagspanning : 50 V 
  • Vgs doorslagspanning : 1.5 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom:  10mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 300mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK168 ***V4 20032017
Gewicht: kg

2SK168 JFET N-ch 30V 10mA TO-92

uitlopend nog 4 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning : 3 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 20 mA
  • Ig Gate stroom:  10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 200mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK168 ***V3 20032017
Gewicht: kg

2SK176 FET N-ch 200V 8A TO-3

uitlopend nog 3 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :  V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 8 A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK184 20032017
Gewicht: kg

2SK184 JFET N-ch 50V 10mA TO-92s

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92s
  • Vds doorslagspanning : 50 V 
  • Vgs doorslagspanning : 1.5V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom:  10mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 200mW 
  • Bedrijftemperatuurbeeik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Sanyo
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK212 20032017
Gewicht: kg

2SK212 JFET N-ch 20V 20mA TO-92s

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92s
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom:  20mA
  • Ig Gate stroom: 10  mA 
  • Pd vermogenverlies: 200mW 
  • Bedrijftemperatuurbeeik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK214 ***V1 20032017
Gewicht: kg

2SK214 FET N-ch 160V 500mA TO-220

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 160 V 
  • Vgs doorslagspanning : 1.5 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 500 mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 30W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -45 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK216 ***V1 20032017
Gewicht: kg

2SK216 FET N-ch 200V 500mA TO-220

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning : 1.5 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 500 mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 30W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -45 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK246 20032017
Gewicht: kg

2SK246 JFET N-ch 50V 10mA TO-92

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 50 V 
  • Vgs doorslagspanning : 6 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom:10  mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 300mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK364 20032017
Gewicht: kg

2SK364 JFET N-ch 40V 20mA TO-92

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 40 V 
  • Vgs doorslagspanning : 1.5 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom:20  mA
  • Ig Gate stroom:  10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 400mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK386 ***V1 20032017
Gewicht: kg

2SK386 FET N-ch 450V 10A TO-247

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-247
  • Vds doorslagspanning : 450 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 10A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 120W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -45 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK415 ***V4 20032017
Gewicht: kg
to3p

2SK415 FET N-ch 800V 6A TO-3p

uitlopend nog 4 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 6A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 80W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK534 ***V5 20032017
Gewicht: kg
to3p

2SK534 FET N-ch 800V 10A TO-3p

uitlopend nog 5 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 10A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK538 ***V5 20032017
Gewicht: kg
to3p

2SK538 FET N-ch 900V 3A TO-3p

uitlopend nog 5 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning :  V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 3A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK552 ***V1 20032017
Gewicht: kg

2SK552 FET N-ch 450V 5A TO-220

uitlopend nog 1 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 450 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 50W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -45 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK684 ***V3 20032017
Gewicht: kg
to3p

2SK684 FET N-ch 800V 7A TO-3p

uitlopend nog 3 stuks op voorraad

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 800 V 
  • Vgs doorslagspanning :  20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 7A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Fuji
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK727 20032017
Gewicht: kg
to3p

2SK727 FET N-ch 900V 5A TO-3p

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-3p
  • Vds doorslagspanning : 900 V 
  • Vgs doorslagspanning :  20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 5A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SK791 20032017
Gewicht: kg

2SK791 FET N-ch 850V 3A TO-220

 

  • Type: Silicon N-Channel  FET
  • Polariteit FET: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 850 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 3A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -45 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole