2SJ...

!
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ50 ***V2 ond.K1 20022017
Gewicht: kg

2SJ50 JFET P-ch 160V 7A TO-3

uitlopend nog 2 stuks op voorraad
  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-3
  • Vds doorslagspanning : 160 V 
  • Vgs doorslagspanning :14 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 7 A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ56 20022017
Gewicht: kg

2SJ56 JFET P-ch 200V 8A TO-3

  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-3
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 8 A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ74 ond.K1 20022017
Gewicht: kg

2SJ74 JFET P-ch 25V 20mA TO-92

 

  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 25 V 
  • Vgs doorslagspanning : V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 20 mA
  • Ig Gate stroom:  10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 400mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ79 ond.K1 20022017
Gewicht: kg

2SJ79 JFET P-ch 200V 0.5A TO-220

 

  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :15 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 500 mA
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 30W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Toshiba
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ103 ond.K1 20022017
Gewicht: kg

2SJ103 JFET P-ch 50V 14mA TO-92

 

  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 50 V 
  • Vgs doorslagspanning : V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 14mA
  • Ig Gate stroom:  10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 300mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +125°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ162 20022017
Gewicht: kg

2SJ162 JFET P-ch 160V 7A TO-3P

  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-3P
  • Vds doorslagspanning : 160 V 
  • Vgs doorslagspanning :15 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 7 A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 100W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Hitachi
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ177 ***V1 20022017
Gewicht: kg

2SJ177 JFET P-ch 60V 20A TO-220

uitlopend nog 1 stuks op voorraad
  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning:  V 
  • ID continue afvoerstroom: 20 A
  • Ig Gate stroom:   mA 
  • Pd vermogenverlies: 35W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2SJ200 20022017
Gewicht: kg

2SJ200 JFET P-ch 180V 10A TO-3P

  • Type: Silicon P-Channel MOS FET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-3P
  • Vds doorslagspanning : 180 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: 2.8 V 
  • ID continue afvoerstroom: 10 A
  • Ig Gate stroom: 0.5µA 
  • Pd vermogenverlies: 120W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole