2N... 3N... FET

!
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3819 20012015
Gewicht: kg

2N3819 JFET N-ch 25V 10mA TO-92

  • Omschrijving: Transistors, RF JFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 25 V 
  • Vgs doorslagspanning :40 V
  • Vdg doorslagspanning: 25 V 
  • ID continue afvoerstroom: 20 mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 360 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3820 20012015
Gewicht: kg

2N3820 JFET P-ch 20V 10mA TO-92

  • Omschrijving: Transistors, JFET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -20 V 
  • ID continue afvoerstroom: 20 mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 350 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N4392 20012015
Gewicht: kg

2N4392 JFET N-ch 40V TO-18

  • Omschrijving: Transistors,  JFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-18
  • Vds doorslagspanning : -5 V 
  • Vgs doorslagspanning :-40 V
  • Vdg doorslagspanning: - 15 V 
  • IDss continue afvoerstroom: 75 mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: -- mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N4393 20012015
Gewicht: kg

2N4393 JFET N-ch 40V TO-18

  • Omschrijving: Transistors,  JFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-18
  • Vds doorslagspanning : -3 V 
  • Vgs doorslagspanning :-40 V
  • Vdg doorslagspanning: - 15 V 
  • IDss continue afvoerstroom: 30 mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 1.8 W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N4416 24012015 /ond.k1-1
Gewicht: kg

2N4416 jFET N-ch 30V 10mA TO-72

  • Omschrijving: jFET, Silicon
  • Polariteit transistor: N-channel
  • Behuizing: TO-72
  • Vds doorslagspanning : 30 V 
  • Vgs doorslagspanning :30 V
  • Vdg doorslagspanning: - V 
  • ID continue afvoerstroom: 15 mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 300 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N5458 20012015
Gewicht: kg
to_92

2N5458 JFET N-ch 25V TO-92

  • Omschrijving: Transistors,  JFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 25 V 
  • Vgs doorslagspanning : 25 V
  • Vdg doorslagspanning: -  V 
  • IDss continue afvoerstroom: 10 mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 310 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N5460 24012015 /ond.k1-1
Gewicht: kg

2N5460 jFET P-ch 40V 13mA TO-92

  • Omschrijving: jFET, Silicon
  • Polariteit transistor: P-channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 40 V 
  • Vgs doorslagspanning :40 V
  • Vdg doorslagspanning: - V 
  • ID continue afvoerstroom: -- mA
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies: 225 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N6027 22012015
Gewicht: kg

2N6027 Uni-Junction Transistor 40V TO-92

  • Omschrijving: Transistors, Uni-Junction 
  • Polariteit transistor:--
  • Behuizing: TO-92
  • Vdrm : 40V 
  • Max gate pieksperspanning :5 V
  • Igt stroom voor ingangstrigger : 50 mA 
  • eenmalige doorlaatstroom: 5 A 
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N6028 22012015
Gewicht: kg

2N6028 Uni-Junction Transistor 40V TO-92

  • Omschrijving: Transistors, Uni-Junction 
  • Polariteit transistor:--
  • Behuizing: TO-92
  • Vdrm : 40V 
  • Max gate pieksperspanning :5 V
  • Igt stroom voor ingangstrigger : 50 mA 
  • eenmalige doorlaatstroom: 5 A 
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N6661 24012015 /ond.k1-1
Gewicht: kg

2N6661 mosFET N-ch 90V TO-39

  • Omschrijving: MOSFET, Silicon
  • Polariteit transistor: N-channel
  • Behuizing: TO-39
  • Vds doorslagspanning : 90 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20V
  • Vdg doorslagspanning: - V 
  • ID continue afvoerstroom: 1.5 A
  • Ig Gate stroom: 10 mA 
  • Pd vermogenverlies:  6.25W 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N7000 22012015
Gewicht: kg
to_92

2N7000 JFET N-ch 60V TO-92

  • Omschrijving: Transistors,  JFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning : 20 V
  • ID continue afvoerstroom: 200 mA 
  • Vdg doorslagspanning: -  V 
  • IDss continue afvoerstroom: - mA
  • Ig Gate stroom: -
  • Pd vermogenverlies: 400 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
3N187 22012015
Gewicht: kg

3N187 FET N-ch 60V TO-18

  • Omschrijving: Transistors,  MOS-FET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-18
  • Vds doorslagspanning : 20 V 
  • Vgs doorslagspanning : 6 V
  • ID continue afvoerstroom: 50 mA 
  • Vdg doorslagspanning: -  V 
  • IDss continue afvoerstroom: - mA
  • Ig Gate stroom: -
  • Pd vermogenverlies: 330 mW 
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +165°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Montagetype: Through Hole