BS ... FET

!
Diodes Incorporated
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS107 17102016
Gewicht: kg

BS107 MOSFET N-ch 200V 0.25A TO92

  • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transitor
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 120 mA
  • Ig Gate stroom: 10 nA 
  • Pd vermogenverlies: 500mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 8 ns
  • Closing resistance Rds(on):  15 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS170 17102016
Gewicht: kg

BS170 MOSFET N-ch 60V 0.5A TO92

  • Type: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transitor
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 500 mA
  • Ig Gate stroom: 10 nA 
  • Pd vermogenverlies: 8300mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 10 ns
  • Closing resistance Rds(on):  5 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Diodes Incorporated
-
Levertijd:1-2 werkdagen
BS250 17102016
Gewicht: kg

BS250 MOSFET P-ch 60V 0.23A TO92

  • Type: P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transitor
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-92
  • Vds doorslagspanning : 60 V 
  • Vgs doorslagspanning :3.5 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 230 mA
  • Ig Gate stroom: 10 nA 
  • Pd vermogenverlies: 830mW 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 10 ns
  • Closing resistance Rds(on):  14 Ohm
  • Montagetype: Through Hole