IRF, IRFBC, IRFP, IRFZ, IRLZ... FET

!

Deze pagina is under construction

Er worden nog meer onderdelen toegevoegd.
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF510 /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF510 MOSFET N-ch 100V 5.6A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.6 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 43W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 200 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.54 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF520 08082016
Gewicht: kg

IRF520 MOSFET N-ch 100V 9.2A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 9.2 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 60W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 260 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.27 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF530 08082016
Gewicht: kg

IRF530 MOSFET N-ch 100V 14A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 14 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 88W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 280 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.18 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Infineon Technologies
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF5305SPBF /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF5305 MOSFET P-ch 55V 31A TO-252

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-252-3
  • Vds doorslagspanning : 55 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 31 A
  • Ig Gate stroom: 100  nA 
  • Pd vermogenverlies: 110W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  110 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.06 Ohm
  • Montagetype: SMD
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF540 08082016
Gewicht: kg

IRF540 MOSFET N-ch 100V 28A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 28 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 150W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 260 ns
  • Closing resistance Rds(on):  77 mOhm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF620 /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF620 MOSFET N-ch 200V 5.2A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.2 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 50W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 300 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.8 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
STMicroelectronics
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF630 04032017
Gewicht: kg

IRF630 MOSFET N-ch 200V 10A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 9 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 75W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):  
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF634 /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF634 MOSFET N-ch 250V 8A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 250 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 8.1 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 74W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 440 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.45 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF640 04032017
Gewicht: kg

IRF640 MOSFET N-ch 200V 18A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 18 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 610 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.18 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
ON Semiconductor
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF640G /ond.K2 04032017
Gewicht: kg
to220ffff

IRF640G MOSFET N-ch 200V 18A TO-220F

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-F
  • Vds doorslagspanning : 200 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 18 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 610 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.18 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF730 04032017
Gewicht: kg

IRF730 MOSFET N-ch 400V 5.5A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 400 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.5 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 74W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 530 ns
  • Closing resistance Rds(on):  1 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF740 04032017
Gewicht: kg

IRF740 MOSFET N-ch 400V 10A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 400 V 
  • Vgs doorslagspanning :4 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 5.5 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 790 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.55 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF820 08082016
Gewicht: kg

IRF820 MOSFET N-ch 500V 2.5A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 2.5 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 50W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 520 ns
  • Closing resistance Rds(on):  3 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF830 08082016
Gewicht: kg

IRF830 MOSFET N-ch 500V 4.5A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 4.5 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 74W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 640 ns
  • Closing resistance Rds(on): 1.5 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Vishay
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF840 08082016
Gewicht: kg

IRF840 MOSFET N-ch 500V 8A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 500 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 8 A
  • Ig Gate stroom: 100 nA 
  • Pd vermogenverlies: 125W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 970 ns
  • Closing resistance Rds(on): 0.85 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
Infineon Technologies
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF1310NPBF /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF1310 MOSFET N-ch 100V 42A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 42 A
  • Ig Gate stroom:  nA 
  • Pd vermogenverlies: 160W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.36 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
IR
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF3205PBF /ond.k2 16012017
Gewicht: kg

IRF3205 MOSFET N-ch 55V 110A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: N-Channel
  • Behuizing: TO-220
  • Vds doorslagspanning : 55 V 
  • Vgs doorslagspanning :-- V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 110 A
  • Ig Gate stroom: -- nA 
  • Pd vermogenverlies: 200W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr: 104 ns
  • Closing resistance Rds(on): 8 mOhm
  • Montagetype: Through Hole
International Rectifier
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF4905 /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF4905 MOSFET P-ch 55V 74A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 55 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 74 A
  • Ig Gate stroom: 100  nA 
  • Pd vermogenverlies: 200W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  130 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.02 Ohm
  • Montagetype: Through Hole
International Rectifier
-
Levertijd:1-2 werkdagen
IRF9520NPBF /ond.K2 04032017
Gewicht: kg

IRF9520 MOSFET P-ch 100V 6.8A TO-220

  • Type: Power MOSFET
  • Polariteit transistor: P-Channel
  • Behuizing: TO-220-3
  • Vds doorslagspanning : 100 V 
  • Vgs doorslagspanning :20 V
  • Vdg doorslagspanning: -- V 
  • ID continue afvoerstroom: 6.8 A
  • Ig Gate stroom: 100  nA 
  • Pd vermogenverlies: 200W 
  • Bedrijfs temperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -
  • Recovery time Trr:  150 ns
  • Closing resistance Rds(on):  0.48 Ohm
  • Montagetype: Through Hole