2N... Transistoren

!
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N1613 20012015
Gewicht: kg

2N1613 Transistor NPN 75V 0.5A 0.8W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 75V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:50V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.5V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.5A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 60 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.8W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 20 - 120
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N1711 20012015
Gewicht: kg

2N1711 Transistor NPN 75V 0.5A 0.8W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 75V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:50V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.5V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.5A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 70 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.8W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 50 - 200
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N1893 20012015
Gewicht: kg

2N1893 Transistor NPN 120V 0.5A 0.8W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Bipolar Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 120V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:80V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.3V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.5A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 50 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.8W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 20 - 120
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2160 20012015
Gewicht: kg

2N2160 Transistor PNP 35V 0.45W TO-05

  • Omschrijving: Transistors,
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-05
  • Collector-basisspanning Vcbo: 35V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:30V
  • Emitter-basisspanning Vebo: -V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): -V
  • Maximale DC collectorstroom Ic: -A
  • Bedrijftemperatuurbereik:    - °C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: - MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.425W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: -
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2218A 20012015
Gewicht: kg

2N2218A Transistor NPN 75V 0.8A 0.8W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 75V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:40V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 6V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.8A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: - MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.8W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 20 - 120
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2219A 20012015
Gewicht: kg

2N2219A Transistor NPN 75V 0.6A 0.8W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, bipolair BJT Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 75V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:40V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 6V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.6A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: - MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.8W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 75 - 300
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2222 20012015
Gewicht: kg

2N2222 Transistor NPN 30V 0.8A 0.5W TO-18

  • Omschrijving: Transistors, bipolair - BJT Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-18
  • Collector-basisspanning Vcbo: 60V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:30V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.6V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.8A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +175°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 250 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.4W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 35 - 300
  • Montagetype: Through Hole
Fairchild Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2222A 20012015
Gewicht: kg

2N2222A Transistor NPN 40V 1A 0.625W TO-92

  • Omschrijving: Transistors, bipolair - BJT Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-92
  • Collector-basisspanning Vcbo: 75V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:40V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 6V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:1.0A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 300 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 625mW
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max : 100 - 300
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2369 24012015 /ond.k1-1
Gewicht: kg

2N2369 Transistor NPN 15V 0.2A 360mW TO-18

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-18
  • Vcbo Collector-basisspanning : 40V 
  • Vceo Collector-emitterspanning :15V
  • Vebo Emitter-basisspanning : 4.5V
  • Vce(sat) Collector-emitterverzadigingsspanning : 0.25V
  • IC Maximale DC collectorstroom: 0.2A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -55 to +200°C
  • fT Versterking Bandbreedte Product : 500 MHz
  • Pd Maximaal vermogensverlies: 360 mW
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 40 - 120
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2646 20012015
Gewicht: kg

2N2646 Transistor UniJunction 30V 0.3W TO-18

  • Omschrijving: Transistors, Unijunction
  • Polariteit transistor: -
  • Behuizing: TO-18
  • Collector-basisspanning Vcb2: 30V 
  • Collector-emitterspanning Vbe2:35V
  • Emitter-basisspanning Vebo: -
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vbe1(sat): 2.5V
  • Maximale DC collectorstroom Ie: 2A max
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +125°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: - MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.3W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: -
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2647 20012015
Gewicht: kg

2N2647 Transistor UniJunction 30V 0.3W TO-18

  • Omschrijving: Transistors, Unijunction
  • Polariteit transistor: -
  • Behuizing: TO-18
  • Collector-basisspanning Vcb2: 30V 
  • Collector-emitterspanning Vbe2:35V
  • Emitter-basisspanning Vebo: -
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vbe1(sat): 3.5V
  • Maximale DC collectorstroom Ie: 2A max
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +150°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: - MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.3W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: -
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2904A 20012015
Gewicht: kg

2N2904A Transistor PNP 60V 0.6A 0.6W TO-39

  • Omschrijving: Transistors,  Silicon
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 60V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:60V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspann6ng Vce(sat): 0.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.6A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 200 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.6W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 35 - 300
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2905A 20012015
Gewicht: kg

2N2905A Transistor PNP 60V 0.6A 0.6W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 60V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:60V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspann6ng Vce(sat): 0.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.6A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 200 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.6W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 35 - 300
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2906 20012015
Gewicht: kg

2N2906 Transistor PNP 60V 0.6A 0.4W TO-18

  • Omschrijving: Transistors,  Silicon
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-18
  • Collector-basisspanning Vcbo: 60V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:40V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspann6ng Vce(sat): 0.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.6A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 200 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.4W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: -
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N2907A 20012015
Gewicht: kg

2N2907A Transistor PNP 60V 0.6A 0.4W TO-18

  • Omschrijving: Transistors,  Silicon
  • Polariteit transistor: PNP
  • Behuizing: TO-18
  • Collector-basisspanning Vcbo: 60V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:60V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 5V
  • Collector-emitterverzadigingsspann6ng Vce(sat): 0.4V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.6A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 200 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.4W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: -
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3019 20012015
Gewicht: kg

2N3019 Transistor NPN 140V 1A 0.8W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 140V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:80V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 0.2V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:0.6A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 400 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 0.8W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 50 - 300
  • Montagetype: Through Hole
Central Semiconductor
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3054A 20012015
Gewicht: kg

2N3054A Transistor NPN 90V 4A 75W TO-66

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-66
  • Collector-basisspanning Vcbo: 90V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:60V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:4.0A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 3.0 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 75W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 25 - 180
  • Montagetype: Through Hole
STMicroelectronics
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3055 20012015
Gewicht: kg

2N3055 Transistor NPN 70V 15A 115W TO-3

  • Omschrijving: Power Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-3
  • Collector-basisspanning Vcbo: 100V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:70V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 1.0V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:4.0A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 3.0 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 115W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 20 - 70 
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3439 20012015
Gewicht: kg

2N3439 Transistor NPN 350V 1A 5.7W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 450V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:350V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 0.5V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:1A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: 15 MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 5.7W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: 30 - 160
  • Montagetype: Through Hole
Unbranded
---
Levertijd:1-2 werkdagen
2N3440 20012015
Gewicht: kg

2N3440 Transistor NPN 250V 1A 10W TO-39

  • Omschrijving: Transistors, Silicon
  • Polariteit transistor: NPN
  • Behuizing: TO-39
  • Collector-basisspanning Vcbo: 450V 
  • Collector-emitterspanning Vceo:250V
  • Emitter-basisspanning Vebo: 7V
  • Collector-emitterverzadigingsspanning Vce(sat): 0.5V
  • Maximale DC collectorstroom Ic:1A
  • Bedrijftemperatuurbereik: -65 to +200°C
  • Versterking Bandbreedte Product fT: -- MHz
  • Maximaal vermogensverlies: 10W
  • Gelijkstroom Collector/Basisversterking hfe Min - Max: -
  • Montagetype: Through Hole